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Mémoire à bande passante élevée : HBM3 est deux fois plus rapide que HBM2e, jusqu’à 819 Go/s par pile


En un mot: JEDEC a annoncé la norme HBM3. Et, comme toute bonne révision d’une norme de mémoire, elle présente une légère diminution de la tension, une multitude de commodités supplémentaires et un doublement de toutes les spécifications liées aux performances. Bande passante ? doublé. Couches? doublé. Capacité? doublé.

En chiffres, une pile HBM3 peut atteindre 819 Go/s de bande passante et avoir 64 Go de capacité. En comparaison, les piles HBM2e utilisées par le AMD MI250 ont la moitié de la bande passante, 410 Go/s, et le quart de la capacité, à peine 16 Go.

À huit piles, le MI250 a un total de 128 Go et 3277 Go/s de bande passante. Huit piles de HBM3 auraient 512 Go avec 6552 Go/s de bande passante.

HBM3 HMB2e HBM2
spécification JSD238 JESD235C JESD235B JESD235A
Bande passante (par pile) 819 Go/s 410 Go/s 307 Go/s 256 Go/s
Dé (par pile) 16 – 4 couches 12 – 2 couches 8 – 2 couches
Capacité (par filière) 4 GO 2 Go 1 Go
Capacité (par pile) 64 Go 24 Go 8 Go
Tension 1.1V 1.2V

HBM3 double également le nombre de canaux indépendants, de huit à 16. Et il introduit des « pseudo-canaux » qui lui permettent de prendre en charge jusqu’à 32 canaux virtuels.

Selon le JEDEC, HBM3 répond en outre au « besoin du marché pour un RAS de haut niveau (fiabilité, disponibilité, facilité d’entretien) » avec « un ECC puissant basé sur des symboles, ainsi qu’un rapport d’erreur et une transparence en temps réel ».

JEDEC s’attend à ce que la première génération de produits HBM3 apparaisse bientôt sur le marché, mais note qu’ils ne répondront pas aux spécifications maximales. Une perspective plus réaliste, dit-il, serait des modules de 2 Go dans des piles de 12 couches.

Crédit image : Stephen Shankland





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